Angew. Chem. Int. Ed: 硼-偶氮苯配合物強電子受體組成的D-π-A結構的NIR-II共軛聚合物研究
2024-06-12
內容提要
第二近紅外(NIR-II, 1,000-1,700 nm)窗口的發(fā)光特別有利于深層組織成像和光學傳感器党瓮,因為它具有通過各種介質的固有高通透性详炬。具有最低未占據分子軌道(LUMO)能級的強電子受體是具有NIR-II發(fā)射特性的給體-受體(D-A) π共軛聚合物(CPs)的關鍵單元,但目前可用的分子骨架種類有限寞奸。本文報道了含有氟化硼融合偶氮苯配合物(BAz)的D-A CPs具有增強的電子接受特性呛谜。偶氮苯配體的氟化和硼的三氟甲基化結合可以有效地將LUMO的能級降低到-4.42 eV,遠低于傳統(tǒng)的強電子受體枪萄。合成的系列CPs在包括NIR- ii在內的較寬近紅外范圍內具有優(yōu)異的吸收/熒光性能隐岛。此外,由于BAz骨架固有的固態(tài)發(fā)射特性瓷翻,從薄膜(λFL= 1213 nm)和水中納米顆粒(λFL= 1036 nm聚凹,亮度高達29 cm -1M -1)中觀察到明顯的NIR-II熒光,表明我們的材料適用于開發(fā)下一代NIR-II發(fā)光材料齐帚。